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APTC60AM45B1G是MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1，包括CoolMOS？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP1，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP1供应商设备包，该设备也可以用作3 N通道（相腿+升压斩波器）FET类型。此外，最大功率为250W，该器件提供600V漏极到源极电压Vdss，该器件具有7200pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为49A，最大Id Vgs上的Rds为45mOhm@24.5A，10V，Vgs最大Id为3.9V@3mA，栅极电荷Qg-Vgs为150nC@10V。
APTC60AM45BC1G是MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1，包括3.9V@3mA Vgs th Max Id，它们设计为与SP1供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如45 mOhm@24.5A，10V，Power Max设计用于250W，以及散装封装，该设备也可以用作SP1封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备提供底盘安装型，该设备具有7200pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为150nC@10V，FET类型为3 N通道（相腿+升压斩波器），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为600V，电流连续漏极Id 25°C为49A。
APTC60AM42F2G带电路图，包括66A电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极至源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于超级结的FET特性，该超级结提供FET类型特性，如2N信道（相腿），栅极电荷Qg Vgs设计用于510nC@10V，除了14600pF@25V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP2封装盒，该设备具有封装托盘，最大功率为416W，Rds On Max Id Vgs为42 mOhm@33A，10V，系列为CoolMOS？，供应商设备包为SP2，Vgs th Max Id为5V@6mA。
