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PSMN069-100YS,115是MOSFET N-CH LFPAK,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N通道,金属氧化物FET型,该器件也可以用作56W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为100V,该器件提供645pF@50V输入电容Ciss Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为17A(Tc),最大Id Vgs的Rds为72.4 mOhm@5A、10V,Vgs th最大Id为4V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V。
PSMN063-150D+118,带有NXP制造的用户指南。PSMN063-150D+118在TO-252封装中提供,是FET的一部分-单个。
PSMN069-100YS,带有NXP制造的电路图。PSMN069-100YS采用SOT-669封装,是FET的一部分-单个。