9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的MTM78E2B0LBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MTM78E2B0LBF价格参考0.74000美元。松下电子元件MTM78E2B0LBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B。您可以下载MTM78E2B0LBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MTM763250LBF是MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD，包括MTM系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-SMD、扁平引线，技术设计用于硅，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在WSMini6-F1-B供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为700mW，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为280pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.7A，1A，最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@1A，4V，Vgs最大Id为1.3V@1mA，Pd功耗为700 mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，并且Id连续漏极电流为1.7A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.85V-1V，Rds漏极源极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，沟道模式为增强。
MTM763250LBF-配有松下制造的用户指南。MTM763250LBF-采用6-SMD扁平引线封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD。
MTM765200LBF，电路图由PANASO制造。MTM765200LBF采用PB-FREE封装，是IC芯片的一部分。
