9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的SSM6N7002BFU，LF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SSM6N7002BFU，LF价格参考1.092美元。东芝半导体和存储SSM6N7002BFU，LF封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6。您可以下载SSM6N7002BFU、LF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SSM6N7002BFE，LM，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于ES6，以及2 N通道（双）FET类型，该器件还可以用作150mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供17pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为200mA，最大Id Vgs的Rds为2.1Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3.1V@250μa。
ssm6n7002fu型（T5L、F和用户指南，包括3.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与US6供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于2.1 Ohm@500mA、10V，提供功率最大功能，如300mW，封装设计为在Digi ReelR以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒中工作，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供17pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为200mA。
SSM6N7002BFE（T5L.F，电路图由东芝制造。SSM6N7002 BFE（T5 L.F，SOT-763封装中提供）是IC芯片的一部分。
