9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL20DNF06LAG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STL20DNF06LAG参考价格为0.922美元。STMicroelectronics STL20DNF06LAG封装/规格:MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT。您可以下载STL20DNF06LAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STL20DN10F7是MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56?,STripFET?VII系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,安装方式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装盒功能,如8-PowerVDFN,技术设计用于Si,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备也可用作表面安装安装类型。此外,信道数为2信道,设备采用PowerFlat?(5x6)供应商设备包,该设备具有双重配置,FET类型为2 N通道(双重),最大功率为62.5W,晶体管类型为2 N-通道,漏极至源极电压Vdss为100V,输入电容Cis Vds为408pF@50V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为20A,最大Id Vgs为67 mOhm@2.5A,10V,Vgs最大Id为4.5V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为7.8nC@10V,Pd功耗为4W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为4 ns,上升时间为3 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为5 A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为67mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为11ns,典型接通延迟时间为6.3ns,Qg栅极电荷为7.8nC,沟道模式为增强。
带有用户指南的STL19N65M5,包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压,它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于710 V,提供典型的开启延迟时间功能,如36 ns,典型的关闭延迟时间设计为11 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件为MDmesh M5系列,该器件具有7 ns的上升时间,漏极-源极电阻Rds为240 mOhms,Qg栅极电荷为31 nC,Pd功耗为90 W,封装为卷轴式,封装盒为PowerFlat-8,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为12.5 A,下降时间为9 ns,配置为三重共源。
ST-L2023,带有ST制造的电路图。ST-L20233以SOP封装形式提供,是IC芯片的一部分。