9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM10HM19FT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM10HM19FT3G参考价格为80.63429美元。微芯片技术APTM10HM19FT3G封装/规格：MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3。您可以下载APTM10HM19FT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM10HM09FT3G带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件以9875pF@25V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为139A，最大Id Vgs的Rds为10mOhm@69.5A、10V，Vgs的最大Id为4V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为350nC@10V。
APTM10HM09FTG带有用户指南，包括4V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于10 mOhm@69.5A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供9875pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有350nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为100V，25°C电流连续漏极Id为139A。
APTM10HM05FG是MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6，包括278A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于700nC@10V，除了20000pF@25V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP6封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为780W，最大Id Vgs的Rds为5mOhm@125A，10V，供应商设备封装为SP6，Vgs th Max Id为4V@5mA。
