9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60AM45B1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60AM45B1G参考价格为84.15000美元。微芯片技术APTC60AM45B1G封装/规格：MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1。您可以下载APTC60AM45B1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTC60AM42F2G，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP2，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP2供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（相腿）FET类型。此外，最大功率为416W，器件提供600V漏极到源极电压Vdss，器件具有14600pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，25°C的电流连续漏极Id为66A，最大Id Vgs上的Rds为42mOhm@33A，10V，Vgs最大Id为5V@6mA，栅极电荷Qg-Vgs为510nC@10V。
APTC60AM35T1G是MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1，包括3.9V@5.4mA Vgs和最大Id，设计用于SP1供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于35 mOhm@72A，10V，提供416W等最大功率功能，包装设计用于批量工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供14000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有518nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为600V，25°C电流连续漏极Id为72A。
APTC60AM35SCTG是MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4，包括72A电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于518nC@10V，除了14000pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为416W，Rds On Max Id Vgs为35mOhm@36A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为3.9V@2mA。
