9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60HM70RT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60HM70RT3G参考价格为89.64417美元。微芯片技术APTC60HM70RT3G封装/规格：MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F。您可以下载APTC60HM70RT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTC60HM70BT3G，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP3，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及SP3供应商设备包，该设备也可作为4 N通道（H桥）FET类型使用。此外，最大功率为250W，器件提供600V漏极到源极电压Vdss，器件具有700pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为39A，最大Id Vgs上的Rds为70mOhm@39A，10V，Vgs最大Id为3.9V@2.7mA，栅极电荷Qg-Vgs为259nC@10V。
APTC60HM45SCTG带用户指南，包括3.9V@3mA Vgs th Max Id，设计用于SP4供应商设备包，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如45 mOhm@22.5A，10V，Power Max设计用于250W，以及散装包装，该设备也可以用作SP4封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有7200pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为150nC@10V，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为超级结，漏极至源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为49A。
APTC60HM45T1G，带电路图，包括49A电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于150nC@10V，以及7200pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备采用SP1封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为250W，最大电流Vgs为45mOhm@24.5A，10V，供应商设备封装为SP1，Vgs最大电流Id为3.9V@3mA。
