9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7223DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7223DN-T1-GE3参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix SI7223DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212。您可以下载SI7223DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7214DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7214ND-E3的零件别名，该SI7214DEN-E3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.6A，最大Id Vgs的Rds为40mOhm@6.4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
Si7212DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8，包括1.6V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在12 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，器件具有12 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为36 mOhm@6.8A，10V，漏极源极电阻为36 mOhm，功率最大值为1.3W，Pd功耗为1.3 W，部件别名为SI7212DN-E3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR 1212-8 Dual，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.9 A，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为12ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id为25°C为4.9A，配置为双，沟道模式为增强。
SI7212DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8，包括双配置，它们设计为在4.9A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于30V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计为在2 N通道（双）中工作，以及11nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作4.9 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围在-55°C~150°C（TJ），封装外壳为PowerPAKR 1212-8 Dual，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SI7212DN-GE3，Pd功耗为1.3W，最大功率为1.3W；漏极-源极电阻Rds为36mOhm，最大Id Vgs为36mohm@6.8A，10V，供应商设备封装为PowerPAKR11212-8 Dual，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为12V，Vgs最大Id为1.6V@250μA。
SI7214DN，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7214DN采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
