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SI5980DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作。数据表备注中显示了SI5980DU-GE3中使用的零件别名，该SI5980DU GE3提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR CHIPFET？双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR ChipFet Dual，配置为Dual，FET类型为2 N通道（Dual），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为78pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs的Rds为567 mOhm@400mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为3.3nC@10V，Pd功耗为7.8W，其最大工作温度范围为+150℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为567 mOhm，晶体管极性为N沟道。
SI5975DC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET，包括450mV@1mA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 CHIPFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如86 mOhm@3.1A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有9nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏极Id为3.1A。
SI5975DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET，包括3.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双通道），栅极电荷Qg Vgs设计为在9nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，设备采用磁带和卷轴（TR）封装，设备最大功率为1.1W，Rds On Max Id Vgs为86 mOhm@3.1A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为1206-8 ChipFET？，Vgs th Max Id为450mV@1mA（Min）。
