SI4909DY-T1-GE3

规格参数

• 部件状态 可供货
• 安装类别 表面安装
• 场效应管特性 逻辑电平门
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 场效应管类型 2个P通道（双通道）
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 8A
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
• 漏源电压标 (Vdss) 40伏
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 最大功率 3.2瓦
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000皮法@20V
• 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@8A，10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63nC @ 10V