9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS2DPF80，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS2DPF80参考价格$3.54。STMicroelectronics STS2DPF80封装/规格：MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC。您可以下载STS2DPF80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS2DNF30L是MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为121pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3A，Rds On Max Id Vgs为110 mOhm@1A，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4.5nC@10V，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为18 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为90 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
STS2DNFS30L，带有ST制造的用户指南。STS2DNFS 30L以SOP封装形式提供，是IC芯片的一部分。
STS2DPF520V-E，带有ST制造的电路图。STS2DPF5 20V-E采用SOIC8封装，是IC芯片的一部分。
