9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS4DNF60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS4DNF60参考价格$2.0。STMicroelectronics STS4DNF60封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC。您可以下载STS4DNF60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS4C3F60L是MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有1030pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4A、3A和Rds，最大Id Vgs为55mOhm@2A、10V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为20.4nC@4.5V。
STS4DNF30L是MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于STripFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如50 mOhm@2A、10V，Power Max设计用于2W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为330pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
STS4DNF-30L，带有ST制造的电路图。STS4DNF30L在SOP包中提供，是存储器的一部分。
