9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM20HM20FTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM20HM20FTG参考价格为134.99125美元。Microchip Technology APTM20HM20FTG封装/规格：MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4。您可以下载APTM20HM20FTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM20HM10FG是MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP6中工作，以及4 N沟道（H桥）FET类型，该设备也可以用作694W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件以13700pF@25V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为175A，最大Id Vgs的Rds为12 mOhm@87.5A，10V，Vgs th最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为224nC@10V。
APTM20HM08FG是MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计为与SP6供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于10 mOhm@104A，10V，提供功率最大功能，如781W，包装设计为批量工作，以及SP6封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供14400pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有280nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为208A。
APTM20HM16FTG是MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4，包括104A电流连续漏极Id 25°C，设计用于200V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于140nC@10V，除了7220pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为19mOhm@52A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
