9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4532ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4532ADY-T1-GE3参考价格为36.418美元。Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC。您可以下载SI4532ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4532ADY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表中显示了SI4532ADY-E3中使用的零件别名，该SI4532ADY-E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SO，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为1.13W，1.2W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.7A，3A，最大Id Vgs的Rds为53 mOhm@4.9A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns 10 ns，上升时间为10 ns 9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为44mOhms 62mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为23ns 21ns，典型接通延迟时间为12ns 8ns，沟道模式为增强型。
SI4532ADY，带有SI制造的用户指南。SI4532AY以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
SI4532ADY-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8引脚SOIC N T/R。SI4532ADY-T1在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8引脚SOIC N T/R。
