9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100H45FT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100H45FT3G参考价格为138.55250美元。微芯片技术APTM100H45FT3G封装/规格：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3。您可以下载APTM100H45FT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM100H18FG是MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP6中工作，以及4 N沟道（H桥）FET类型，该设备也可以用作780W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），该器件提供10400pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时的电流连续漏极Id为43A，最大Id Vgs的Rds为210 mOhm@21.5A，10V，Vgs最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为372nC@10V。
APTM100H35FT3G带有用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于420 mOhm@11A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于批量工作，以及SP3包外壳，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有186nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C的电流连续漏极Id为22A。
APTM100H35FTG，带电路图，包括22A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于186nC@10V，除了5200pF@25V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为420 mOhm@11A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
