9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4937EY-T1_BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4937EY-T1_BE3价格参考1.29000美元。Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_BE3封装/规格：MOSFET 2 P沟道30V 5A 8SOIC。您可以下载SQ4937EY-T1_BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线消息与我们联系，例如SQ4937EY-T1_BE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQ4920EY-T1_GE3，带引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N沟道（双），功率最大值为4.4W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1465pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为14.5mOhm@6A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为30nC@10V，Pd功耗为4.4W，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为7.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为14.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为19.7nC，正向跨导Min为43S。
SQ4920EY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SQ系列，上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为14.5mOhms，Qg栅极电荷为19.7nC，Pd功耗为4.4W，零件别名为SQ4920EY-GE3，包装为卷筒，包装箱为SO-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为7.2 A，正向跨导最小值为43 S，下降时间为8 ns，配置为双通道。
SQ4937EY-T1_GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于SQ系列系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供TrenchFET等商标功能。
SQ4936EY-T1-GE3，带有VISHAY/SILICONIX制造的EDA/CAD模型。SQ4936EY-T1-GE3在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
