9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4937EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4937EY-T1_GE3价格参考1.29000美元。Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2 P沟道30V 5A 8SOIC。您可以下载SQ4937EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4920EY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，数据表中显示了用于SQ4920EY-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作SO-8封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有双重配置，晶体管类型为2 N通道，Pd功耗为4.4 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为7.2A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为19.7nC，并且正向跨导Min为43S。
SQ4937EY-T1_GE3带有用户指南，其中包括TrenchFET商品名，它们设计用于使用Si技术，数据表说明中显示了用于SQ系列的系列，该系列提供了卷盘等包装功能。
SQ4936EY-T1-GE3，电路图由VISHAY/SILICONIX制造。SQ4936EY-T1-GE3在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
