9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50AM38FTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50AM38FTG参考价格为144.35125美元。微芯片技术APTM50AM38FTG封装/规格：MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4。您可以下载APTM50AM38FTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM50AM25FTG是MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4，包括散装封装，它们设计为与SP4封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供安装型功能，如底盘安装，供应商设备封装设计为在SP4中工作，以及2 N沟道（半桥）FET型，该器件还可以用作1250W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供29600pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时的电流连续漏极Id为149A，最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@74.5A、10V，Vgs th最大Id为4V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为1200nC@10V。
APTM50AM24SG是MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6，包括5V@6mA Vgs和最大Id，它们设计用于SP6供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于28mOhm@75A，10V，提供最大功率功能，如1250W，包装设计用于批量工作，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供19600pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备具有434nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为150A。
APTM50AM35FTG是MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4，包括99A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在500V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在280nC@10V下工作，除了14000pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大容量封装，最大功率为781W，Rds On Max Id Vgs为39 mOhm@49.5A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@5mA。
