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PMGD175XN，115是MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSOP，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作390mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供75pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为900mA，最大Id Vgs的Rds为225mOhm@1A，4.5V，Vgs th最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为1.1nC@4.5V。
PMGD130UN，115是MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSOP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-TSSOP供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于145 mOhm@1.2A，4.5V，提供功率最大功能，如390mW，封装设计用于Digi ReelR，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供83pF@10V输入电容Cis Vds，该器件具有1.3nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为1.2A。
PMGD175XN，带有NXP制造的电路图。PMGD175XN在SOT-363封装中提供，是FET阵列的一部分。
