9icnet为您提供由IXYS设计和生产的FMM75-01F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FMM75-01F参考价格为22.03000美元。IXYS FMM75-01F封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5。您可以下载FMM75-01F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FMM60-02TF是MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装式功能，如通孔，包装盒设计用于i4 Pac-5，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备采用ISOPLUS i4 PAC？供应商设备包，该设备具有2 N沟道（双）FET型，最大功率为125W，漏极到源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为3700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为33A，最大Rds Id Vgs为40mOhm@30A，10V，Vgs th最大Id为4.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为90nC@10V，Pd功耗为125W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为75ns，上升时间为46ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为33A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-源极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为90nC，正向跨导Min为40S。
FMM65-015P是MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与ISOPLUS I4 PAC一起工作？供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于22 mOhm@50A，10V，提供管等封装功能，包装盒设计用于i4 Pac-5，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作通孔安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为230VC@10V，该器件为2 N沟道（双）FET型，该器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id 25°C为65A。
FMM6G30US60S，带有FAIRCHILD制造的电路图。FMM6G30US60S在模块包中提供，是模块的一部分。
