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SI5906DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表说明中显示了用于PowerPAKR ChipFET的封装盒？Dual，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PowerPAKR ChipFet双供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为10.4W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有300pF@15V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为31 mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@10V。
Si5905DC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8，包括450mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如90 mOhm@3A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有9nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为8V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
SI5905DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8，包括3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于8V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于9nC@4.5V，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，设备采用磁带和卷轴（TR）封装，设备最大功率为1.1W，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@3A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为1206-8 ChipFET？，Vgs th Max Id为450mV@250μA（Min）。
