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STS5DNF60L是MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC，包括STripFET？II系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1030pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为45mOhm@2A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@4.5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为10ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第二栅极-源极端电压为1.7V，Rds漏极-源极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为25S。
STS5DNF20V是MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC，包括600mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于STripFET？二、 提供Rds On Max Id Vgs功能，例如40 mOhm@2.5A，4.5V，Power Max设计为2W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有460pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为11.5nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为5A。
sts5dnf20伏。电路图由STS5DNF20V制造。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
