9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4282EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4282EY-T1_GE3参考价格$1.58000。Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2 N沟道30V 8A 8SOIC。您可以下载SQ4282EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SQ4184EY-T1_GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，产品名称显示在数据表注释中，用于TrenchFET，提供Si等技术特性，其最大工作温度范围为+175 C，以及40 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。
SQ3D02600D2IBA，带有三星制造的用户指南。SQ3D02600D2IBA在LCC封装中提供，是IC芯片的一部分。
SQ3D02600LZLNA，电路图由EPCOS制造。SQ3D02600LZLNA采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SQ3D03200D2IBA，带有SAMSUNG制造的EDA/CAD模型。SQ3D03200D2IBA采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
