9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7923DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7923DN-T1-E3价格参考1.65000美元。Vishay Siliconix SI7923DN-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8。您可以下载SI7923DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7922DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7922DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7922DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为100V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.8A，最大Id Vgs的Rds为195 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为195mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
SI7922DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8，包括3.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为11 ns，Rds On Max Id Vgs为195 mOhm@2.5A，10V，Rds On Drain Source电阻为195 mOhm，功率最大值为1.3W，Pd功耗为1.3 W，部件别名为SI7922DN-T1，包装为Digi-ReelR交替包装，包装盒为PowerPAKR 1212-8 Dual，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为1.8 A，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为1.8A，配置为双，沟道模式为增强。
SI7923DN，带有INTERSIL制造的电路图。SI7923DN在QFN8封装中提供，是FET阵列的一部分。
