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APTC60DSKM70T1G，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP1，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP1供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双降压斩波器）FET类型。此外，最大功率为250W，该器件提供600V漏极到源极电压Vdss，该器件具有700pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，25°C的电流连续漏极Id为39A，最大Id Vgs上的Rds为70mOhm@39A，10V，Vgs最大Id为3.9V@2.7mA，栅极电荷Qg-Vgs为259nC@10V。
APTC60HM24T3G带用户指南，包括3.9V@5mA Vgs th Max Id，设计用于SP3供应商设备包，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如24 mOhm@47.5A，10V，Power Max设计用于462W，以及托盘封装，该设备也可以用作SP3封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有14400pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为300nC@10V，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为超级结，漏极至源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为95A。
APTC60DSKM70T3G带电路图，包括39A电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于259nC@10V，以及7000pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备以SP3封装盒提供，该设备具有大量封装，最大功率为250W，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@39A，10V，供应商设备封装为SP3，Vgs最大Id为3.9V@2.7mA。
