9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60AM24SCTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60AM24SCTG参考价格194.21333美元。微芯片技术APTC60AM24SCTG封装/规格：MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4。您可以下载APTC60AM24SCTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTC60AM24SCTG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTC60AM18SCG是MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6，包括CoolMOS？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如SP6中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP6供应商设备包，该设备也可以用作2 N沟道（半桥）FET类型。此外，最大功率为833W，该器件提供600V漏极到源极电压Vdss，该器件具有28000pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为143A，最大Id Vgs上的Rds为18 mOhm@71.5A，10V，Vgs最大Id为3.9V@4mA，栅极电荷Qg-Vgs为1036nC@10V。
APTC60AM242G是MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2，包括3.9V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于使用CoolMOS？系列，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，适用于24 mOhm@47.5A，10V，提供462W等最大功率功能，封装设计为散装工作，以及模块封装外壳，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供14400pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有300nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为600V，25°C电流连续漏极Id为95A。
APTBD3216-LMM24，带有LED制造的电路图。APTBD3216-LMM24采用LED SMD封装，是IC芯片的一部分。
