9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60TAM35PG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60TAM35PG参考价格为233.49800美元。微芯片技术APTC60TAM35PG封装/规格：MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P。您可以下载APTC60TAM35PG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTC60TAM24TPG，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP6，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP6-P供应商设备包，该设备也可以用作6 N通道（3相桥）FET类型。此外，最大功率为462W，该器件提供600V漏极到源极电压Vdss，该器件具有14400pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，25°C的电流连续漏极Id为95A，最大Id Vgs上的Rds为24mOhm@47.5A，10V，Vgs最大Id为3.9V@5mA，栅极电荷Qg-Vgs为300nC@10V。
APTC60TAM21SCTPAG带用户指南，包括3.6V@6mA Vgs th Max Id，设计用于与SP6-P供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如21 mOhm@88A，10V，Power Max设计为在625W下工作，以及散装封装，该设备也可以用作模块封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备提供底盘安装型，该设备具有13000pF@100V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为580nC@10V，FET类型为6 N沟道（3相桥），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为116A。
APTC60SKM24T1G是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块Coolmos。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块电源模块Coolmos，N通道600V 95A（Tc）462W（Tc）底盘安装SP1。
