9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5999EDU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5999EDU-T1-GE3参考价格为0.528美元。Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK。您可以下载SI5999EDU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI5999EDU-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5997DU-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET，包括TrenchFET系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表中显示了SI5997DU-GE3中使用的零件别名，该SI5997DU-GE3提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR CHIPFET？双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR ChipFet Dual，配置为Dual，FET类型为2个P通道（Dual），最大功率为10.4W，晶体管类型为2 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为430pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs的Rds为54mOhm@3A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为14.5nC@10V，Pd功耗为10.4W，它的最大工作温度范围为+150 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为54 mΩ，晶体管极性为P沟道。
SI5980DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.002998盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR ChipFet Dual，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有567 mOhm@400mA，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为567 mOhms，最大功率为7.8W，Pd功耗为7.8 W，零件别名为SI5980DU-GE3，包装为Digi-ReelR，包装箱为PowerPAKR-ChipFet？双重，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为78pF@50V，Id连续漏极电流为2.5A，栅极电荷Qg Vgs为3.3nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，配置为双。
SI5975DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET，包括3.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双通道），栅极电荷Qg Vgs设计为在9nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，设备采用磁带和卷轴（TR）封装，设备最大功率为1.1W，Rds On Max Id Vgs为86 mOhm@3.1A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为1206-8 ChipFET？，Vgs th Max Id为450mV@1mA（Min）。
