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DDTB114GU-7-F

  • 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1.65138
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.65
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规格参数

  • 集电极击穿电压 50 V
  • 发射极电阻 (R2) 10千欧姆
  • 最大功率 200毫瓦
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 2.5毫安, 50毫安
  • 特征频率 200兆赫
  • 晶体管类别 PNP-预偏
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 基极电阻 (R1) -
  • 部件状态 过时的
  • 最小直流增益 56 @ 5毫安, 5V
  • 供应商设备包装 SOT-323
  • 集电极最大截止电流 500nA (ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 500 mA
  • 额定电流(单位:安培) -

DDTB114GU-7-F 产品详情

DDTB114GU-7-F所属分类:单个预偏置双极晶体管,DDTB114GU-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DDTB114GU-7-F价格参考¥1.651381,你可以下载 DDTB114GU-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DDTB114GU-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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