9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的MRFG35002N6R5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。MRFG35002N6R5参考价格为218.725美元。NXP USA Inc.MRFG35002N6R5封装/规格：FET RF 8V 3.55GHZ。您可以下载MRFG35002 N6R5English数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MRFE6VS25GNR1是RF MOSFET晶体管VHV6E 25W50V TO270-2G，包括MRFE6VS25N系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表中所示，用于卷盘，提供单位重量功能，如0.019330盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-270-2鸥管封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，增益为27 dB，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，工作频率为1.8 GHz至2 GHz，Vgs栅极-源极电压为10 V，Vds漏极-源极击穿电压为142 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2.5 V，晶体管极性为N沟道。
MRFE6VS25LR5是FET VHV6E 25W 50V NI360L，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于140 V，提供单位重量功能，如0.103628盎司，类型设计用于RF功率MOSFET，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MRFE6VS25N，该设备采用卷筒包装，该设备具有NI-360-2封装盒，工作频率为1.8 MHz至2000 MHz，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40 C，最高工作温度范围+150 C，增益为25.9 dB。
MRFE6VS25NR1是RF MOSFET晶体管VHV6E 25W50V TO270-2，包括27 dB增益，它们设计用于SMD/SMT安装方式，工作频率如数据表说明所示，用于1.8 MHz至2000 MHz，提供to-270-2等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及MRFE6V S25N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，该类型为RF功率MOSFET，该器件的单位重量为0.018679盎司，该器件具有-0.5 V+133 V的Vds漏极-源极击穿电压，Vgs栅极-源极电压为-6 V+10 V。
MRFE8VP8600HR5，带有NXP/Freescale制造的EDA/CAD模型。是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“RF MOSFET晶体管宽带RF功率LDMOS晶体管、RF MOSFET、Trans RF MOSFET N-CH 115V 5引脚NI-1230H T/R、RF MOSFET三极管宽带RF功率NMOS晶体管、470-860 MHz、600 W、50 V”。
