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ATF-33143-TR1G是IC PHEMT 1.9GHZ 80MA LN SOT-343，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-343，提供GaAs等技术特性，配置设计用于单双源，以及PHEMT晶体管类型，该器件也可以用作15 dB增益。此外，Pd功耗为600mW，其最大工作温度范围为+160℃，器件的工作频率为2 GHz，Id连续漏极电流为305 mA，Vds漏极-源极击穿电压为5.5 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为440 mmho，Vgs栅极-源极电压为-5 V，NF噪声系数为0.5dB，P1dB压缩点为22dBm。
ATF-33143-TR2G是RF JFET晶体管晶体管GaAs低噪声晶体管，包括-5 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在5.5 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表说明中显示了用于pHEMT的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，该设备还可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-343，器件提供22 dBm P1dB压缩点，器件工作频率为2 GHz，NF噪声系数为0.5 dB，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+160 C，Id连续漏电流为305 mA，增益为15 dB，正向跨导最小值为440 mmho，配置为单双源。
ATF33143TR1G，电路图由AVAGO制造。ATF33143TR1G采用SC-82A SOT-343封装，是RF FET的一部分，支持IC PHEMT 1.9GHZ 80MA LN SOT-343。
