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MRF6V12250HSR3

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 100伏 频率: 1.03GHz 输出端功率: 275瓦 供应商设备包装: NI-780S
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 数量:
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  • 总计: ¥1,988.31
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规格参数

  • 晶体管类别 LDMOS
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 电压检测值 50 V
  • 电流检测值 100毫安
  • 额定电压 100伏
  • 包装/外壳 NI-780S
  • 供应商设备包装 NI-780S
  • 频率 1.03GHz
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 增益 20.3分贝
  • 输出端功率 275瓦

MRF6V12250HSR3 产品详情

RF功率晶体管,MRF6V12250HR3和MRF6V1225HSR3,专为工作频率在960至1215MHz之间的应用而设计。这些装置适用于脉冲应用。

特色

  • 典型脉冲性能:VDD=50伏,IDQ=100 mA,Pout=275瓦峰值(27.5 W平均值),f=1030 MHz,脉冲宽度=128µsec,占空比=10%功率增益:20.3 dB漏极效率:65.5%
  • 能够处理10:1 VSWR,@50 Vdc,1030 MHz,275瓦峰值功率
  • 典型宽带性能:VDD=50伏,IDQ=100 mA,Pout=250瓦峰值(平均25瓦),f=960–1215 MHz,脉冲宽度=128µsec,占空比=10%功率增益:19.8 dB漏极效率:58%
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多50 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R3后缀=每56 mm、13英寸卷筒250个单位
  • 这些产品包括在我们的产品寿命计划中,在推出后至少10年内保证供应。
MRF6V12250HSR3所属分类:场效应射频晶体管,MRF6V12250HSR3 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF6V12250HSR3价格参考¥1988.312217,你可以下载 MRF6V12250HSR3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF6V12250HSR3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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