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MRF6V13250HSR5是RF MOSFET晶体管VHV6 250W 50V NI780HS，包括MRF6V1325 0H系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.168010盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及NI-780S封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，增益为20dB，该器件的峰值输出功率为230W，该器件具有476W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为1.3GHz，Vgs栅极-源极电压为10V，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅-源极阈值电压为2.7V，并且晶体管极性是N沟道。
MRF6V14300HSR5是RF MOSFET晶体管VHV6 1400MHZ 50V，包括2.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于10 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.115448盎司，类型设计用于RF功率MOSFET，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MRF6V14300H，该设备采用卷筒包装，该设备具有NI-780S封装外壳，输出功率为39.6 W，工作频率为1.2 GHz至1.4 GHz，安装方式为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，增益为18 dB。
MRF6V14300HR5是RF MOSFET晶体管VHV6 1400MHZ 50V，包括18 dB增益，其最大工作温度范围为+150 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1.2 GHz至1.4 GHz的工作频率特性，输出功率设计为39.6 W，以及NI-780封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，该系列为MRF6V14300H，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，类型为RF功率MOSFET，单位重量为0.227150 oz，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅源极电压为10 V，Vgsth栅源极阈值电压为2.4 V。
MRF6V14300H，带有FSL制造的EDA/CAD模型。MRF6V14300H在模块包中提供，是模块的一部分。
