特色
- N沟道增强型MOSFET
- 175 MHz、28 Vdc下的典型性能:输出功率=40 W,增益=17 dB,效率=60%
- 推拉配置减少偶数谐波
- 低Crss-4.0 pF@VDS=28 V
- 100%测试所有相位角的负载不匹配,VSWR为30:1
- 便于手动增益控制、ALC和调制技术
- 优异的热稳定性非常适合A级操作
- 500 MHz,28 Vdc时的保证性能:输出功率=40 W,增益=14 dB,效率=50%
- 航空航天与国防
- 伊斯兰主义
应用
- 最小频率:30 MHz
- 最大频率:500 MHz
- 磅:40 W
- 增益:14 dB
- 效率:50%