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MRFE6S9160HSR3

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 66 V 频率: 880MHz 输出端功率: 35W 供应商设备包装: NI-780S
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 电流检测值 1.2 A
  • 包装/外壳 NI-780S
  • 供应商设备包装 NI-780S
  • 频率 880MHz
  • 额定电压 66 V
  • 增益 21分贝
  • 输出端功率 35W

MRFE6S9160HSR3 产品详情

MRFE6S9160HR3和MRFE6S9180HSR3设计用于频率从865到960 MHz的N-CDMA、GSM和GSM EDGE基站应用。适用于多载波放大器应用。

特色

  • 880 MHz时的典型单载波N-CDMA性能:VDD=28伏特,IDQ=1200毫安,Pout=平均35瓦,IS-95 CDMA(导频、同步、寻呼、业务代码8至13)信道带宽=1.2288 MHz。CCDF上的标准杆数=9.8 dB@0.01%概率。功率增益:21 dB漏极效率:31%ACPR@750 kHz偏移:–46.8 dBc,30 kHz带宽
  • 能够处理10:1 VSWR,@32 Vdc,880 MHz,3 dB Overdrive,设计用于增强耐用性。
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多32 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R3后缀=每56 mm、13英寸卷筒250个单位。
MRFE6S9160HSR3所属分类:场效应射频晶体管,MRFE6S9160HSR3 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRFE6S9160HSR3价格参考¥914.778270,你可以下载 MRFE6S9160HSR3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRFE6S9160HSR3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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