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ATF-331M4-BLK是射频JFET晶体管GaAs低噪声晶体管，包括散装封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于Mini PAK，提供GaAs等技术特性，配置设计用于单双源，以及pHEMT晶体管类型，该设备也可以用作15dB增益。此外，Pd功耗为400mW，最大工作温度范围为+160 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为2 GHz，Id连续漏极电流为305 mA，Vds漏极-源极击穿电压为5.5 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为440 mmho，Vgs栅极-源极击穿电压为-5V，最大漏极-栅极电压为-5v，NF噪声系数为0.6dB，P1dB压缩点为19dBm。
ATF-331M4-TR1是RF JFET晶体管晶体管GaAs低噪声晶体管，包括-5 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在5.5 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表说明中显示了用于pHEMT的晶体管类型，其提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，该设备还可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为Mini PAK，器件的压缩点为19 dBm P1dB，器件的工作频率为2 GHz，NF噪声系数为0.6 dB，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+160 C，最大漏极栅电压为-5 V，Id连续漏电流为305mA，增益为15dB，正向跨导最小值为440mmho，配置为单双源。
ATF-331M4-TR1G，电路图由AVAGO制造。ATF-331M4-TR1G采用Minipak封装，是IC芯片的一部分。
