9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VRF151MP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VRF1.51MP价格参考129.97000美元。Microchip Technology VRF151MP封装/规格：RF MOSFET N沟道50V M174。您可以下载VRF151MP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VRF150是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括RF功率MOSFET类型，它们设计为与托盘封装一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，其提供了18dB等增益特性，输出功率设计为在150W以及300W Pd功耗下工作，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-65℃，器件的工作频率为150 MHz，器件的Vgs栅极-源极电压为40 V，Id连续漏极电流为16 a，Vds漏极-源极击穿电压为180 V，Vgs第栅极-源阈值电压为3.6 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为4.5 mS。
VRF151是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括3.6 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于40 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于180 V，提供RF功率MOSFET、晶体管极性设计用于N沟道，该器件也可以用作300W Pd功率耗散。此外，包装为卷筒式，该设备提供150 W输出功率，该设备具有175 MHz的工作频率，其最低工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为16 a，增益为22 dB，正向跨导最小值为5 mS。
VRF151G是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于SOE-4封装盒，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供Si等技术特性，类型设计用于RF功率MOSFET。
VRF150MP是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括Si技术。
