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CGH40090PP是RF JFET晶体管DC-4GHz 28V 90W增益12.5dB GaN HEMT,包括管封装,它们设计为以螺钉安装方式工作,封装情况如数据表注释所示,用于440199,提供GaN SiC等技术特性,配置设计为双路工作,以及HEMT晶体管类型,该器件也可以用作12.5dB增益。此外,输出功率为100 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,工作频率为500 MHz至2.5 GHz,Id连续漏极电流为12 A,Vds漏极-源极击穿电压为120 V,Vgs栅极-源极阈值电压为-3 V,晶体管极性为N沟道,开发套件为CGH40090PP-TB,Vgs栅源击穿电压为-10V至+2V。
CGH40120F是RF JFET晶体管DC-2.5GHz 28V 120W增益19dB GaN HEMT,包括-3V Vgs第栅极-源极阈值电压,它们设计为在-10V至+2V Vgs栅极-源击穿电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于120V,晶体管极性设计用于N沟道,以及GaN-SiC技术,该器件也可以用作管封装。此外,包装箱为440193,该设备的输出功率为120 W,设备的工作频率为1 GHz至2.5 GHz,安装方式为螺钉,最低工作温度范围为-40 C,最高工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为12 a,增益为19 dB,开发套件为CGH40120F-TB,配置为单一。
CGH40090PP-TB是板演示放大器电路CGH40090,包括CGH40090PP描述功能演示板,设计用于与CGH400910PP一起使用,与相关产品一起使用。数据表注释中显示了CGH400900PP中使用的CGH40099PP,其提供500MHz~2.5GHz等频率特性,其最大工作温度范围为+150℃,它的最低工作温度范围为-40℃,该设备也可以用作28 V工作电源电压。此外,包装为散装,该设备为演示板产品,该设备具有GaN系列,提供的内容为部分填充板-不包括主IC,评估工具为CGH40090PP,类型为HEMT。
CGH40120F-TB是板演示放大器电路CGH40120,包括部分填充板-主IC,不包括提供的内容,它们设计用于HEMT型,系列如数据表注释所示,用于GaN,提供演示板等产品功能,描述功能设计用于CGH401220F的演示板,以及与相关产品一起使用的CGH40120F,该设备也可以用作与相关产品一同使用的CGH30120F。此外,评估工具为CGH40120F,该设备采用散装包装,设备的工作电源电压为28V,频率为0Hz~4GHz,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C。