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ATF-35143-TR2G是射频JFET晶体管GaAs低噪声晶体管,包括卷轴封装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,封装盒如数据表注释所示,用于SOT-343,提供GaAs等技术特性,配置设计用于单双源,以及pHEMT晶体管类型,该设备也可以用作18dB增益。此外,Pd功耗为300 mW,其最大工作温度范围为+160 C,器件的工作频率为2 GHz,Id连续漏极电流为80 mA,Vds漏极-源极击穿电压为5.5 V,晶体管极性为N沟道,正向跨导最小值为120 mmho,Vgs栅极-源击穿电压为-5 V,NF噪声系数为0.4dB,P1dB压缩点为11dBm。
ATF-35376-TR1,带有HP制造的用户指南。ATF-35376-TR1采用SMT封装,是IC芯片的一部分。
ATF-35376-TR1G,电路图由AVAGO制造。ATF-35376-TR1G采用SMT76封装,是IC芯片的一部分。
ATF-36077,采用安捷伦制造的EDA/CAD模型。ATF-36077采用RAM封装,是RF FET的一部分。