9icnet为您提供由Broadcom Limited设计和生产的ATF-331M4-TR1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ATF-331M4-TR1参考价格为239.282美元。博通有限公司ATF-331M4-TR1包装/规格：IC PHEMT低噪音2GHZ MINIPAK。您可以下载ATF-331M4-TR1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ATF-331M4-BLK是射频JFET晶体管GaAs低噪声晶体管，包括散装封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于Mini PAK，提供GaAs等技术特性，配置设计用于单双源，以及pHEMT晶体管类型，该设备也可以用作15dB增益。此外，Pd功耗为400mW，最大工作温度范围为+160 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为2 GHz，Id连续漏极电流为305 mA，Vds漏极-源极击穿电压为5.5 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为440 mmho，Vgs栅极-源极击穿电压为-5V，最大漏极-栅极电压为-5v，NF噪声系数为0.6dB，P1dB压缩点为19dBm。
ATF-33143-TR1G是集成电路PHEMT 1.9GHZ 80MA LN SOT-343，包括-5 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在5.5 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表中显示了用于PHEMT的晶体管类型，其提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，以及600 mW Pd功耗，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-343，器件提供22 dBm P1dB压缩点，器件工作频率为2 GHz，NF噪声系数为0.5 dB，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+160 C，Id连续漏电流为305 mA，增益为15 dB，正向跨导最小值为440 mmho，配置为单双源。
ATF-33143-TR2G是RF JFET晶体管晶体管GaAs低噪声晶体管，包括单双源配置，它们设计为以440 mmho正向跨导最小值工作，数据表注释中显示的增益为15 dB，具有305 mA等Id连续漏电流特性，其最大工作温度范围为+160 C，除了SMD/SMT安装方式，该器件还可以用作0.5 dB NF噪声系数。此外，工作频率为2 GHz，该器件的压缩点为22 dBm P1dB，该器件具有SOT-343封装盒，封装为卷轴式，Pd功耗为600 mW，技术为GaAs，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为pHEMT，Vds漏极-源极击穿电压为5.5V，Vgs栅极-源极电压为-5V。
