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MRF7S19120NR1是MOSFET RF N-CH TO-270-4,包括MRF7S19140NR1系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.084548盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于TO-270 WB,以及Si技术,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-65℃,器件提供-6 V 10 V Vgs栅极-源极电压,器件具有65 V Vds漏极-源极击穿电压,晶体管极性为N沟道。
MRF7S19170HSR3是IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S,包括-6 V 10 V Vgs栅极-源极电压,它们设计用于65 V Vds漏极-源极击穿电压,单位重量显示在数据表注释中,用于0.238367盎司,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及MRF7S19180H系列,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为NI-880S,该器件为SMD/SMT安装型,其最低工作温度范围为-65℃,最高工作温度范围+150℃。
MRF7S19100NBR1是由FREESCALE制造的RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz~1.99GHz 17.5dB 29W TO-272 WB-4。MRF7S19100NBR1采用TO270A封装,是IC芯片的一部分,支持RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz~1.99GHz 17.5dB 29W TO-272 WB-4。
MRF7S19170HS,带有FREESCALE制造的EDA/CAD模型。MRF7S19170HS在模块包中提供,是模块的一部分。