9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的PTFA212001F1V4R250XTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PTFA212001F1V4R250XTMA1参考价格为38.464美元。Infineon Technologies PTFA212001F1V4R250XTMA1封装/规格：IC RF功率晶体管。您可以下载PTFA212001F1V4R250XTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PTFA212001E V4 R250是RF MOSFET晶体管高功率RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz，包括PTFA212001系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作。包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如FA212001EV4R25XT PTFA212001-EV4R250XTMA1 SP000393370，该器件也可以用作Si技术。此外，增益为15.8 dB，器件的输出功率为200 W，器件的Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，工作频率为2170 MHz，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为65V，漏极-漏极电阻Rds在10V时为0.05欧姆，晶体管极性为N沟道。
PTFA211801F，带有INFINEON制造的用户指南。是IC芯片的一部分。
PTFA212001E，带有INF制造的电路图。PTFA212001 E在ES封装中提供，是RF FET的一部分。
PTFA212001F，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。PTFA212001F采用N封装，是RF FET的一部分。
