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MRF7S21150HSR5

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.11GHz~2.17GHz 输出端功率: 44W 供应商设备包装: NI-780S
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥395.56005
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥395.56
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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 额定电压 65 V
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 包装/外壳 NI-780S
  • 供应商设备包装 NI-780S
  • 频率 2.11GHz~2.17GHz
  • 增益 17.5分贝
  • 输出端功率 44W
  • 电流检测值 1.35 A

MRF7S21150HSR5 产品详情

MRF7S21150HR3和MRF7S21150 HSR3设计用于频率从2110到2170 MHz的CDMA基站应用。适用于CDMA和多载波放大器应用。用于PCN-PCS/蜂窝无线电和WLL应用的AB类和C类。

特色

  • 典型的单载波W-CDMA性能:VDD=28伏,IDQ=1350毫安,Pout=44瓦平均值,全频段,3GPP测试模型1.64 DPCH,50%限幅,信道带宽=3.84 MHz,输入信号PAR=7.5 dB@0.01%CCDF概率。功率增益:17.5 dB漏极效率:31%设备输出信号标准杆数:6.1 dB@0.01%CCDF ACPR概率@5 MHz偏移:-37 dBc,3.84 MHz信道带宽
  • 能够处理5:1 VSWR,@32 Vdc,2140 MHz,150瓦CW峰值调谐输出功率
  • Pout@1 dB压缩点≥150瓦CW
  • 100%标准杆数测试保证输出功率能力
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 集成ESD保护
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 设计用于数字预失真误差校正系统
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R3后缀=每56 mm、13英寸卷筒250个单位
MRF7S21150HSR5所属分类:场效应射频晶体管,MRF7S21150HSR5 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF7S21150HSR5价格参考¥395.560054,你可以下载 MRF7S21150HSR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF7S21150HSR5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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