特色
- N沟道增强型MOSFET
- 电气性能:MRF176GU@50 V,400 MHz(“U”后缀),输出功率-150 W,功率增益-14 dB(典型值),效率-50%(典型值
- MRF176GV@50 V,225 MHz(“V”后缀);输出功率-200 W,功率增益-17 dB(典型),效率-55%(典型)
- 低铬-7.0 pF典型值@VDS=50 V
- 低热阻
- 在额定输出功率下测试100%耐用性
- 航空航天与国防
- 伊斯兰主义
应用
- 最小频率:5 MHz
- 最大频率:225 MHz
- 磅:200 W
- 增益:15 dB
- 效率:50%