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MRFE6S9046GNR1

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 66 V 频率: 960兆赫 输出端功率: 35.5W 供应商设备包装: TO-270 WB-4 Gull
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥319.23372
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥319.23
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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 电流检测值 300毫安
  • 增益 19分贝
  • 频率 960兆赫
  • 额定电压 66 V
  • 输出端功率 35.5W
  • 包装/外壳 至270BB
  • 供应商设备包装 TO-270 WB-4 Gull

MRFE6S9046GNR1 产品详情

MRFE6S9046NR1和MRFE6S9026GNR1设计用于频率为920至960MHz的GSM和GSM EDGE基站应用。适用于CDMA和多载波放大器应用。

特色

  • 典型GSM性能:VDD=28伏,IDQ=300 mA,Pout=35.5瓦CW,f=960 MHz功率增益=19 dB漏极效率=57%
  • 能够处理5:1 VSWR,@32 Vdc,940 MHz,70瓦CW输出功率(额定Pout的3 dB输入超速),设计用于增强耐用性
  • 1 dB压缩点下的典型Pout±45瓦CW
  • 典型GSM EDGE性能:VDD=28伏,IDQ=285毫安,Pout=17.8瓦平均值,全频带(920–960 MHz)功率增益=19 dB漏极效率=42.5%频谱重新增长@400 kHz偏移=–62.5 dBc频谱重新增长@600 kHz偏移=-72 dBc EVM=2.1%rms
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 集成ESD保护
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 225°C塑料包装
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R1后缀=每44 mm,13英寸卷筒500个单位。
MRFE6S9046GNR1所属分类:场效应射频晶体管,MRFE6S9046GNR1 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRFE6S9046GNR1价格参考¥319.233715,你可以下载 MRFE6S9046GNR1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRFE6S9046GNR1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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