特色
- 典型GSM性能:VDD=28伏,IDQ=300 mA,Pout=35.5瓦CW,f=960 MHz功率增益=19 dB漏极效率=57%
- 能够处理5:1 VSWR,@32 Vdc,940 MHz,70瓦CW输出功率(额定Pout的3 dB输入超速),设计用于增强耐用性
- 1 dB压缩点下的典型Pout±45瓦CW
- 典型GSM EDGE性能:VDD=28伏,IDQ=285毫安,Pout=17.8瓦平均值,全频带(920–960 MHz)功率增益=19 dB漏极效率=42.5%频谱重新增长@400 kHz偏移=–62.5 dBc频谱重新增长@600 kHz偏移=-72 dBc EVM=2.1%rms
- 用串联等效大信号阻抗参数表征
- 内部匹配,便于使用
- 集成ESD保护
- 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
- 225°C塑料包装
- 符合RoHS
- 在磁带和卷轴中。R1后缀=每44 mm,13英寸卷筒500个单位。