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MAGX-001214-125L00是RF JFET晶体管1.2-1.4GHz 50V 125W Pk增益18dB，包括托盘封装，设计用于SMD/SMT安装方式，其工作温度范围为-40 C至+95 C，提供法兰陶瓷-2等封装外壳功能，技术设计用于GaN SiC，以及公共源配置，该器件也可以用作HEMT晶体管类型。此外，增益为18.4 dB，器件的输出功率为125 W，器件的Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+95 C，最小工作温度范围-40 C，工作频率为1.2 GHz至1.4 GHz，Id连续漏极电流为4.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为175 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-3.8V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为2.5S，Vgs栅极源极击穿电压为-8V。
MAGX-001090-600L0S，带有用户指南，包括-3.1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在-8 V Vgs栅极-源击穿电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于175 V，提供晶体管类型功能，如HEMT，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及GaN SiC技术，该装置也可以用作2.3kW Pd功率耗散。此外，包装为散装，该器件采用Ceramic-2封装盒，该器件输出功率为600 W，工作温度范围为-40 C至+95 C，工作频率为1030 MHz至1090 MHz，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-40 C，最大工作温度范围+95 C，Id连续漏极电流为20.4A，增益为20.8dB，正向跨导最小值为12.5S，配置为公共源极。
MAGX-001214-250L00是RF JFET晶体管1.2-1.4GHz 50V 250W Pk增益17.8dB，包括公共源配置，它们设计为以5 S正向跨导最小值工作，数据表注释中显示了用于17.7dB的增益，提供了Id连续漏电流特性，如9.1 a，其最大工作温度范围为+95 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，工作频率为1.2 GHz至1.4 GHz，工作温度范围为-40 C至+95 C，器件输出功率为250 W，封装外壳为法兰陶瓷-2，封装为托盘，Pd功耗为192 W，技术为GaN SiC，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为HEMT，Vds漏极-源极击穿电压为175V，Vgs栅极-源极电压为-8V，Vgsth栅极-源阈值电压为-3.1V。
