射频功率垂直MOSFET
VRF151G设计用于频率达175MHz的宽带商业和军事应用。该设备的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机可以用于调频广播或电视频道频带。
特色
•提高了耐用性V(BR)DSS=170V
•300W,16dB典型增益@175MHz,50V
•卓越的稳定性和低IMD
•公共源配置
•符合RoHS
•5:1规定运行条件下的负载VSWR能力
•氮化物钝化
•难熔金金属化
•MRF151G的高压更换
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 1264.46548 | 1264.46548 |
100+ | 1042.21709 | 104221.70960 |
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射频功率垂直MOSFET
VRF151G设计用于频率达175MHz的宽带商业和军事应用。该设备的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机可以用于调频广播或电视频道频带。
•提高了耐用性V(BR)DSS=170V
•300W,16dB典型增益@175MHz,50V
•卓越的稳定性和低IMD
•公共源配置
•符合RoHS
•5:1规定运行条件下的负载VSWR能力
•氮化物钝化
•难熔金金属化
•MRF151G的高压更换
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...