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MMRF1008GHR5
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MMRF1008GHR5

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 100伏 额定电流(单位:安培): 100A. 频率: 900MHz ~ 1.215GHz 输出端功率: 275瓦 供应商设备包装: NI-780GH-2L
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 50

数量 单价 合计
50+ 3599.44462 179972.23105
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3,599.44462
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥179,972.23
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 电压检测值 50 V
  • 电流检测值 100毫安
  • 额定电压 100伏
  • 额定电流(单位:安培) 100A.
  • 增益 20.3分贝
  • 输出端功率 275瓦
  • 频率 900MHz ~ 1.215GHz
  • 包装/外壳 NI-780GH-2L
  • 供应商设备包装 NI-780GH-2L

MMRF1008GHR5 产品详情

RF功率晶体管MMRF1008H、MMRF1008HS和MMRF1008GH设计用于工作在900至1215MHz频率的应用。这些设备适用于国防和商业脉冲应用,如IFF和DME。

特色

  • 典型脉冲性能:VDD=50 Vdc,IDQ=100 mA,Pout=275 W峰值(27.5瓦平均值),f=1030 MHz,脉冲宽度=128µsec,占空比=10%功率增益:20.3 dB漏极效率:65.5%
  • 能够处理10:1 VSWR,@50 Vdc,1030 MHz,275 W峰值功率
  • 典型宽带性能:VDD=50 Vdc,IDQ=100 mA,Pout=250 W峰值(平均25瓦),f=960–1215 MHz,脉冲宽度=128µsec,占空比=10%功率增益:19.8 dB漏极效率:58%
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多50 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 符合RoHS
  • 这些产品包括在我们的产品寿命计划中,在推出后至少10年内保证供应。
MMRF1008GHR5所属分类:场效应射频晶体管,MMRF1008GHR5 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMRF1008GHR5价格参考¥3599.444621,你可以下载 MMRF1008GHR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMRF1008GHR5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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