射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型横向MOSFET
设计用于频率从1000到2500 MHz的数字和模拟蜂窝PCN和PCS基站应用。在商业和工业应用中,具有26伏的A级和AB级运行特性。
•规定的双音性能@1930和2000 MHz,26伏
输出功率-4瓦PEP
功率增益-11 dB
效率-30%
互调失真-–29 dBc
•能够处理10:1 VSWR,@26 Vdc,2000 MHz,4 W CW输出功率
•优异的热稳定性
•以串联等效大信号阻抗参数为特征
•S–高偏置水平下的参数表征
•提供胶带和卷筒。R1后缀=每12 mm、7英寸卷筒500个单位。